[发明专利]具有弯曲栅电极的半导体器件及其制造工艺无效
| 申请号： | 99107295.2 | 申请日： | 1999-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN1136618C | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 高桥寿史;熊本景太 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;余朦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括半导体衬底上的元件隔离区、有源区和有源区上具有弯曲角为θ的弯曲部分的栅极，其中元件隔离区和有源区间的边界与栅极相交，使得在所说交叉发生处的边界线段大致平行于栅极弯曲部分的弯曲角θ的平分线。在该半导体器件中，甚至在MOSFET的栅极和有源区的相对位置稍微偏移时，栅极宽度的变化也很小，因而特性的变化也很小。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 弯曲 电极 半导体器件 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的工艺，所说半导体器件包括半导体衬底上的元件隔离区、有源区和有源区上具有弯曲角为θ的弯曲部分的栅极，其中所说工艺包括以下步骤：在半导体衬底的预定区域上形成一掩模，该掩模具有使掩模的周线与在以后步骤将形成的栅电极相交，并且发生交叉处的掩模周线的线段大致平行于栅电极弯曲部分的弯曲角θ的平分线的形状；在半导体衬底的未被所说掩模覆盖的区域上形成元件隔离区，从而确定有源区；去掉所说掩模，然后形成具有弯曲部分的栅电极；及利用栅电极作掩模进行离子注入，在有源区中形成杂质注入区。
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