[发明专利]在集成电路中形成接触销且同时平面化衬底表面的方法无效
| 申请号： | 99107204.9 | 申请日： | 1999-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN1114942C | 公开（公告）日： | 2003-07-16 |
| 发明（设计）人： | 尹普彦;洪锡智 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜,余朦 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于在集成电路中形成接触销且同时平面化衬底表面的方法，首先，在其中具有多个扩散区的半导体衬底上形成导电结构。在包括导电结构的半导体衬底上形成第一绝缘层。用接触孔形成掩模腐蚀第一绝缘层以形成接触孔。在第一绝缘层上形成导电层，用导电层填满接触孔。腐蚀该导电层直到露出第一绝缘层的上表面为止。在第一绝缘层上形成第二绝缘层。可以形成没有空隙的接触销，同时通过平面化腐蚀第二和第一绝缘层来平面化衬底表面。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 形成 接触 同时 平面化 衬底 表面 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在集成电路中形成接触销的方法，包括以下步骤：在其中具有多个扩散区的半导体衬底上形成导电结构；在包括导电结构的半导体衬底上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层在成组地形成导电结构的第一区域具有比未形成导电结构的第二区域高的台阶；用构图的光刻胶掩模作为开口形成掩模对第一绝缘层进行腐蚀以形成接触孔；在第一绝缘层上形成导电层，用导电层填满接触孔；腐蚀导电层直到露出第一绝缘层的上表面为止；在第一绝缘层上形成第二绝缘层；以及平面化-腐蚀第二和第一绝缘层以形成接触销，并同时通过在第二区域中留下一部分第二绝缘层而平面化衬底表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
