[发明专利]半导体集成电路器件的制造工艺和半导体集成电路器件无效
| 申请号： | 99106677.4 | 申请日： | 1999-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1236186A | 公开（公告）日： | 1999-11-24 |
| 发明（设计）人： | 田边义和;山本直树;三谷真一郎;花冈裕子 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/28;H01L21/316;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 轻度氧化工艺技术,在采用多晶硅及金属栅结构和双栅结构的CMOSLSI中,向半导体晶片Al的主表面提供含氢气及由氧气和氢气合成的蒸汽的混合气体,在难熔金属膜基本上不被氧化,且包含于构成栅极一部分的p型多晶硅膜中的硼不会通过栅氧化膜扩散到半导体衬底的低热负载条件下,进行热处理,以改善栅极边缘部分之下被腐蚀掉的栅绝缘膜的外形。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1·一种制造半导体集成电路器件的工艺，包括以下步骤：(a)在包含形成于半导体晶片主表面的硅表面上的氧化硅膜的栅绝缘膜之上，形成多晶硅膜；(b)直接或通过阻挡层在所说多晶硅膜上形成主要包括钨的难熔金属膜；(c)构图所说多晶硅膜和所说难熔金属膜，从而形成栅极；及(d)在所说步骤(c)后，在含氢气和蒸汽的混合气体气氛中，对所说硅表面和位于对应于所说栅极边缘部分的部分中的掺有硼的所说多晶硅膜进行热氧化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
