[发明专利]形成配线结构的方法无效
| 申请号： | 99106126.8 | 申请日： | 1999-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1144279C | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 松原义久 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 姜丽楼 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种形成铜配线的方法，其中在非氧化气氛下基片被冷却至160摄氏度以下后把具有铜配线的基片暴露在大气中。通常是将基片暴露于相对较高的温度下，这使得基片上配线间的电阻更高,阻碍了高度集成化。按照本发明，由于将基片暴露在相对较低的温度下从而可减少上述电阻值以实现高度集成化。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成铜配线结构的方法，其特征在于，它包括下述步骤：在基片上形成暴露的铜配线以形成晶片，在一个非氧化气氛的热处理炉中对晶片进行热处理，在非氧化气氛下将铜配线的温度降至160摄氏度以下以及将经过热处理的晶片暴露在大气中进行冷却。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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