[发明专利]用于腐蚀的保护单元的方法和装置无效
申请号: | 99103644.1 | 申请日: | 1999-03-09 |
公开(公告)号: | CN1155051C | 公开(公告)日: | 2004-06-23 |
发明(设计)人: | A·C·布林青格;R·拉马钱德兰;S·K·斯理尼瓦桑 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 肖春京;章社杲 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种保护与要腐蚀的第一区域邻近的相邻区域的方法和装置。方法包括形成基本上环绕第一区域的保护单元,但把相邻区域排除在外。保护单元由对随后在第一区域内腐蚀使用的腐蚀工艺基本上有选择腐蚀性的材料形成。形成保护单元之后,在第一区域内进行腐蚀,同时保护单元可防止在保护单元外进行相邻的腐蚀。 | ||
搜索关键词: | 用于 腐蚀 保护 单元 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种在衬底上保护与要腐蚀的第一区域邻近的相邻区域的方法,所述方法包括:形成一环绕所述第一区域的阱,所述相邻区域设置在所述阱外;用对随后用于腐蚀所述第一区域的腐蚀有选择性的材料填充所述阱,由此形成一保护单元;以及随后在所述第一区域内进行所述腐蚀,所述保护单元用于防止可腐蚀在所述保护单元外之所述相邻区域的腐蚀;其特征是,还包括:形成一覆盖所述第一区域和所述保护单元的帽盖层,所述帽盖层由对所述腐蚀有选择性的材料形成;以及形成一穿过所述层的孔,由此通过所述孔露出所述孔下面的部分所述第一区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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