[发明专利]半导体存储器件及其检验与使用方法无效

专利信息
申请号: 99103028.1 申请日: 1999-03-19
公开(公告)号: CN1118830C 公开(公告)日: 2003-08-20
发明(设计)人: 森屋隆昭 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00;G06F11/10
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏,黄敏
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种半导体存储器件、以及检验该半导体存储器件的一种方法和使用它的方法,它简化了操作的普通模式和操作测试模式之间的转换,缩短了用于错误检测和错误校正的测试时间。根据本发明的半导体存储器件包括:存储电路,代码标识单元(写数据寄存器和错误校正码发生电路),错误处理单元(错误检测电路和错误校正电路),和转换电路。
搜索关键词: 半导体 存储 器件 及其 检验 使用方法
【主权项】:
1.半导体存储器件,包括:存储单元,它包括m个存储区,其中m是任意的自然数,用于在由输入的地址信号指定的存储区写和读数据;代码标识单元,用于标识一代码,以检验输入的数据中的任何错误,并将作了代码标识的数据送到上述存储单元;转换单元,当上述存储信号指定上述存储单元中的存储区时,用于从上述存储单元输出数据;当上述地址信号未指定上述存储单元中的任何存储区时,从上述代码标识单元输出数据;和错误处理单元,当从上述转换单元接收数据时,用于根据标识到数据上的代码来检验上述数据包含的错误,当监测到任何错误时,校正错误并输出上述数据。
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