[发明专利]光电晶体无效
| 申请号： | 99102936.4 | 申请日： | 1999-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1267092A | 公开（公告）日： | 2000-09-20 |
| 发明（设计）人： | 邱清彰 | 申请（专利权）人： | 光磊科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 徐娴 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种光电晶体,包括一基板,基板上设有一集电极区,电连接一集电极接点于基板底面;一基极区,覆盖在集电极区上,其上端电连接一基极接点于基板表面;一发射极区,设于基极区上方,其上端电连接一发射极接点于基板表面;发射极接点自中心延伸一打线面积,打线面积正下方的基板全部为集电极区,打线面积与集电极区之间设有一绝缘层。本光电晶体,在打线时,打线应力不会损伤到E－B及C－B接合面,可提高产品合格率,质量稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 晶体 | ||
【主权项】：
1、一种光电晶体，包括一基板，基板上设有：一集电极区，电连接一集电极接点于基板底面；一基极区，覆盖于集电极区上，其上端电连接有一基极接点于基板表面；一发射极区，设于基极区的区域内上方，其上端电连接一发射极接点于基板表面；其特征在于：发射极接点自中心延伸一打线面积，打线面积的正下方的基板全部为集电极区，打线面积与集电极区之间设有一绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
