[发明专利]半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 99102822.8 | 申请日： | 1999-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN1144280C | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 汤泽治 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/28;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在一种用于制造具有MOSFET和由硅化钨膜制成的低阻电阻元件的混合的半导体器件的方法，在对将作为电阻元件的硅化钨膜进行蚀刻形成预定形状之后，执行热处理以活化MOSFET的扩散层，从而得到低阻值的硅化钨膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造具有MOSFET和由硅化钨膜制成的低阻电阻元件的混合的半导体器件的方法，所述方法包括步骤：在形成栅极之后，在半导体基片上依次形成第一氧化膜，硅化钨膜和第二氧化膜；利用所述第二氧化膜作为掩模蚀刻所述硅化钨膜，以便形成预定的形状，和在所述硅化钨膜上留下所述第二氧化膜；利用所述第二氧化膜作为掩模来蚀刻所述第一氧化膜并形成所述栅极的侧壁；向将要形成所述MOSFET的源极和漏极扩散层的区域进行离子注入；和为活化所述MOSFET的扩散层而进行热处理，从而把所述硅化钨膜的阻值降低为一个低阻值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
