[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及制造半导体器件的方法，在这种半导体器件中，圆柱形构件的内壁表面和外壁表面的半球状颗粒尺寸是一样的，以促进表面面积的增加，并防止在相临圆柱形构件之间的短路。通过(i)去除非晶态硅初始生长层或(ii)抑制初始生长层的作用来实现上述目的。

主权项

1.制造半导体器件的方法，所述半导体器件具有一个衬底以及在衬底上形成的圆柱形构件，所述方法包括：在衬底上形成由可蚀刻材料制成的间隔层的步骤，在间隔层上制造陷穴的步骤，沿着所述陷穴制造非晶态硅薄膜，以形成非晶态硅圆柱形构件的步骤，其中所述非晶态硅薄膜作为所述圆柱形构件的圆柱形壁，曝光步骤，蚀刻所述间隔层，以使所述非晶态硅圆柱形构件的内壁表面和外壁表面曝露出，去除步骤，通过蚀刻去除非晶态硅圆柱形构件的外壁表面层，处理所述非晶态硅圆柱形构件的外壁表面和内壁表面以在其上形成半球形硅晶粒的步骤，从而将所述非晶态硅圆柱形构件转变为多晶硅圆柱形构件，且其外壁表面和内壁表面均有半球形硅晶粒。