[发明专利]电子源的制造方法和修复方法无效
| 申请号： | 99102100.2 | 申请日： | 1993-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1135590C | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 坂野嘉和;吉冈征四郎;野村一郎;鲈英俊;金子哲也;武田俊彦 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/30 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了包含一块基片和设在该所述基片上的电子发射元件的电子源的制造方法，包括步骤：在所述基片上制作多个通过引线并联电连接的电子发射区，所述引线通过热切除件与所述电子发射区相连，所述热切除件一旦在所述基片上受热即被切断；检验所述多个电子发射区以检测其电子发射特性；通过加热所述热切除件切断在所述检验中其电子发射特性被发现为不正常的那些电子发射区中的所述电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 制造 方法 修复 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造包含一块基片和设在该所述基片上的电子发射元件的电子源的方法，其特征在于包括步骤：在所述基片上制作多个通过引线并联电连接的电子发射区，所述引线通过热切除件与所述电子发射区相连，所述热切除件一旦在所述基片上受热即被切断；检验所述多个电子发射区以检测其电子发射特性；以及通过加热所述热切除件切断在所述检验中其电子发射特性被发现为不正常的那些电子发射区中的所述电连接。
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