[发明专利]与半导体上绝缘通孔中的铜金属化层接触的方法和结构无效
| 申请号： | 99101288.7 | 申请日： | 1999-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN1149654C | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | E·C·库尼三世;S·E·卢斯;R·D·戈德布拉特;W·J·科泰 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/52;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新;王忠忠 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在半导体晶片上的通孔中形成元素铜的方法包括以下步骤：提供具有已构图的铜层的晶片；在所说铜层上提供绝缘层；在所说绝缘层中开出通孔；将所说晶片置于还原环境中，将所说通孔中铜上的氧化铜还原成元素铜；然后，在不将晶片暴露于氧化环境的条件下，在所说通孔中淀积与所说元素铜接触的衬里层。该方法消除了有关用传统溅射方法清洁的通孔中有关飞溅铜的问题。选择衬里，利用其粘附性和防止铜扩散的性质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 绝缘 中的 金属化 接触 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种处理具有铜金属化层的半导体晶片的方法，包括以下步骤：a)提供具有已构图的铜层和所说铜层上的绝缘层的晶片；b)在所说绝缘层中提供通孔，其中在暴露于所说通孔中的铜上可能形成了氧化铜；c)将所说晶片置于处理室中；d)在所说处理室中提供还原环境，以将所说氧化铜还原为元素铜；及e)在不将晶片暴露于氧化环境的条件下，在所说通孔中淀积导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
