[发明专利]半导体器件的生产方法

摘要

半导体器件的生产方法包含：第一步骤，在半导体基片上通过第一绝缘膜形成下部互连，第二步骤，在包含下部互连的半导体基片上形成第二绝缘膜，第三步骤，在第二绝缘膜内形成到达下部互连的通孔，第四步骤，在第三步骤完成后，蚀刻包括侧面的下部互连的表面，在侧面处露出通孔的底部，而不将半导体基片暴露到空气中，第五步骤，在通孔内形成由导电材料制成的塞，第六步骤，在第二绝缘膜上形成将与塞相连的上部互连，其中第三步骤包含在被抽到预定真空度的真空容器中通过使用第一等离子体的干蚀形成通孔的步骤，第四步骤包含在所述真空容器中去除用在第三步骤中的第一等离子体的步骤，此后产生第二等离子体，蚀刻在通孔的所述底部露出的下部互连的表面。

主权项

1.一种生产半导体器件的方法，包含： 第一步骤，在半导体基片(100，200)上通过第一绝缘膜(101，201) 形成下部互连(102，202)； 第二步骤，在包含所述下部互连的所述半导体基片上形成第二绝缘 膜(103，203)； 第三步骤，在所述第二绝缘膜内形成到达所述下部互连的通孔(105， 205)； 第四步骤，在第三步骤完成后，蚀刻包括侧面的所述下部互连的表 面，在侧面处露出通孔的底部，而不将所述半导体基片暴露到空气中； 第五步骤，在通孔内形成由导电材料制成的塞(106，206)； 第六步骤，在所述第二绝缘膜上形成将与所述塞相连的上部互连 (107，207)， 其特征在于，所述第三步骤包含在被抽到预定真空度的真空容器中 通过使用第一等离子体的干蚀形成通孔的步骤，所述第四步骤包含在所 述真空容器中去除用在第三步骤中的第一等离子体的步骤，此后产生第 二等离子体，蚀刻在通孔的所述底部露出的所述下部互连的所述表面。