[发明专利]生产纯羧酸的改进方法无效
| 申请号: | 98814233.3 | 申请日: | 1998-08-06 |
| 公开(公告)号: | CN1322190A | 公开(公告)日: | 2001-11-14 |
| 发明(设计)人: | J·A·特纳;D·C·伍德科克 | 申请(专利权)人: | 纳幕尔杜邦公司 |
| 主分类号: | C07C51/21 | 分类号: | C07C51/21;C07C51/265;C07C63/26 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张元忠,罗才希 |
| 地址: | 美国特拉华*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 一种在溶剂中通过催化液相空气氧化合适的前体生产纯羧酸的方法,其中在高溶剂前体比以及足以保持纯酸在形成时处于溶液中的反应条件下,在活塞流反应区中进行氧化反应,以及由该方法制得的产物。 | ||
| 搜索关键词: | 生产 羧酸 改进 方法 | ||
【主权项】:
1.一种生产纯羧酸的方法,它是通过在选自脂族羧酸或非脂族有机酸和任选包括水的溶剂中催化液相氧化相应的前体,该方法包括:(a)在2000-10000KPa的压力下形成包括溶剂和氧化催化剂的原料流;(b)将气态氧溶解在原料流中使得氧气浓度达到0.5%-3.0%w/w,以及任选将原料流预加热至120℃-180℃;(c)连续并同时将原料流和所述前体送入活塞流反应区中形成反应介质,其中溶剂∶前体比至少约30∶1而且使得生成的羧酸在形成时保持在溶液中;(d)系统地降低步骤(c)中反应介质的压力,同时将其冷却至120℃-180℃,因此沉淀出羧酸晶体,形成淤浆;(e)任选浓缩淤浆;和(f)从淤浆中回收羧酸晶体。
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