[发明专利]半导体装置制造方法无效
| 申请号： | 98807215.7 | 申请日： | 1998-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1151547C | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 渡部隆好;志仪英孝;春日部进;森照亨 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了提供一种在与基板连接时不发生导通不良并能容易地进行高密度安装且能实现低成本的半导体装置、其安装结构体及其制造方法，本发明的特征在于：将角锥形状的凸起电极接合到配置在半导体芯片上的各焊区电极上而构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：具有形成该半导体装置的角锥形状的凸起电极的工序，和将该角锥形状的凸起电极与该半导体装置的焊区电极连接的工序；该角锥形状的凸起电极形成工序具有：将具有结晶性的基板各向异性刻蚀，以形成角锥形状的孔的工序；和电镀金属填充该角锥形状的孔的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
