[发明专利]处理半导体晶片的方法无效
| 申请号： | 98805967.3 | 申请日： | 1998-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN1114566C | 公开（公告）日： | 2003-07-16 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·维哈费尔贝克 | 申请（专利权）人： | CFMT公司 |
| 主分类号： | C03C23/00 | 分类号： | C03C23/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,黄敏 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用含氟化铵的溶液清洗和腐蚀半导体晶片的方法，及在其使用点制备这种溶液的工艺控制。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用含氟化铵的溶液处理电子元件前身的方法，包括以下步骤：(a)提供氢氧化铵(NH4OH)来源和氟化氢(HF)来源；(b)把氢氧化铵从氢氧化铵来源直接送到处理容器中，并把氟化氢从氟化氢来源直接送到处理容器中，制备包含氟化铵(NH4F)的处理溶液；及(c)使多个电子元件前身与所说处理溶液接触，去掉电子元件前身上的无用材料。
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