[发明专利]场发射器件无效
| 申请号： | 98805274.1 | 申请日： | 1998-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1257604A | 公开（公告）日： | 2000-06-21 |
| 发明（设计）人： | 兹维·彦尼夫;理查德·L·芬克;芝丹·L·托尔特 | 申请（专利权）人： | SI戴梦德技术公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用对衬底(704)进行腐蚀然后淀积膜(705)的工艺,制造了可以用于计算机显示器的场发射器件的膜(碳和/或金刚石)。腐蚀步骤在衬底上产生用于膜淀积工艺的成核位置。用此工艺,避免了发射膜的图形化。用这种膜能够制造场发射器件。得到的场发射器件,其阴极具有未被腐蚀过的连续膜,因而具有优异的发射性质。阴极中的象素包括直接淀积在衬底上的发射膜,导体淀积在发射膜的一侧或更多侧上。在一个实施例中,发射体位于制作在导体层中的窗口中。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 器件 | ||
【主权项】：
1.一种场发射器件，它包含：衬底；淀积在所述衬底上的发射体材料层；以及淀积在所述发射体材料层一侧上的所述衬底上的电极。
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