[实用新型]硅/硅键合质量测试仪无效
| 申请号： | 98206564.7 | 申请日： | 1998-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN2363282Y | 公开（公告）日： | 2000-02-09 |
| 发明（设计）人： | 肖志雄;张大成;武国英;张录;张太平;张国炳;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01N33/00 | 分类号： | G01N33/00;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京大学专利事务所 | 代理人： | 陈美章 |
| 地址： | 100871 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型是硅/硅键合质量测试仪。硅/硅直接键合技术广泛地应用于SOI(在绝缘层上的硅)材料的制造、不同材料之间的连接及体硅微机械传感器与执行器的制造。硅片键合界面空洞的检测是关键技术之一。本实用新型采用普通CCD摄像仪,普通光源,配以可变焦镜头,观测硅/硅直接键合样品,图像清晰,简单实用,成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 硅键合 质量 测试仪 | ||
【主权项】：
1.一种硅/硅键合质量测试仪，由显示器(1)、电荷耦合器件CCD(2)、光学镜头(3)、光源盒(5)和传输线(6)组成，其特征是：1.1、传输线(6)的一端接在电荷耦合器件CCD(2)的视频输出，另一端接在显示器(1)的视频输入；1.2、光学镜头(3)装于电荷耦合器件CCD(2)的前端，通过标准的接口相连，光学镜头的光轴与电荷耦合器件CCD的中心轴共线；1.3、光源盒(5)位于光学镜头(3)的前方，光源盒的上表面与光学镜头的光轴垂直；1.4、电荷耦合器件CCD(2)采用黑白电荷耦合器件CCD。
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