[发明专利]半导体器件无效

专利信息
申请号: 98125891.3 申请日: 1998-11-26
公开(公告)号: CN1146994C 公开(公告)日: 2004-04-21
发明(设计)人: 吉冈心平;斋藤康人 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L29/417
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 叶恺东;王岳
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体器件,其特征是,由以下部分组成:一对半导体开关元件,每个半导体开关元件在一表面上形成正电极和控制电极,并且,在另一表面上形成负极;衬底,与所述任一个半导体开关元件的所述正电极和所述控制极连接的同时,连接改变与所述任一个半导体开关元件相互方向的所述任一其他半导体开关元件的所述负电极。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1.一种半导体器件,其特征在于,具有:在一侧的表面上形成正电极和控制电极,并且在另一侧的表面上形成负电极的第1半导体开关元件;在一侧的表面上形成正电极和控制电极,并且在另一侧的表面上形成负电极的第2半导体开关元件;和具有连接上述第1和第2半导体开关元件的布线图形的布线衬底;上述第1半导体开关元件的正电极,和上述第2半导体开关元件的负电极,分别在衬底上形成,并朝向上述布线衬底而连接;上述第1半导体开关元件的正电极和上述第2半导体开关元件的负电极,通过上述布线图形进行电连接。
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