[发明专利]能抑制驱动电流改变的光发射半导体元件无效
| 申请号： | 98124880.2 | 申请日： | 1998-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1130808C | 公开（公告）日： | 2003-12-10 |
| 发明（设计）人： | 大矢昌辉;远藤健司 | 申请（专利权）人： | NEC化合物半导体器件株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种光发射半导体元件包括生长在包层或中间层上的第一附加层。第一附加层的晶格常数不同于半导体衬底的第二晶格常数。光发射半导体元件安装到散热片上以形成激光器元件。散热片使光发射结构产生形变。在那里第一附加层产生应变并且抑制形变的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 驱动 电流 改变 发射 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种光发射半导体元件，其特征在于，包括具有条带台阶和包括具有第一导电型和第一晶格常数的半导体衬底，用于在所述半导体衬底上生长双异质结的具有第二导电型的包层，生长在所述包层上的中间层，和加进到所述包层或者所述条带台阶内的中间层中的附加层(31、32、51)，该附加层具有不同于第一晶格常数的第二晶格常数。
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