[发明专利]集成电路上薄膜层中分布的去耦电容器结构及其制造方法无效
| 申请号： | 98122632.9 | 申请日： | 1998-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN1134066C | 公开（公告）日： | 2004-01-07 |
| 发明（设计）人： | P·G·埃玛;黄威;S·M·盖茨 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L21/70 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,王忠忠 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了在集成电路(IC)的Si层和布线层上的一组分开的薄膜(TF)层中构成的有大电容C的薄膜电容器的应用。该电容值C很大，按本发明的两层IC结构中的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构包括上层，在包括下层的Si晶片衬底中构成CMOS逻辑和存贮器电路。所加的薄膜电容用于使在GHzIC工作中的电源电压稳定在一个恒定电平上。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 薄膜 分布 电容器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属-绝缘体-金属薄膜电容器结构，包含：由一个集成电路芯片的一对相互连接层所构成一对电极，所述相互连接层分离于并位于该集成电路芯片的一个基片层之上，其中一个下电极又包括了具备含有一个顶部分及两个倾斜部分的表面的楔形侧壁外形；以及一个在该对电极之间布置的绝缘体，所述绝缘体包含多个介质层，而所述介质层及一个上电极又平行淀积于所述下电极的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
