[发明专利]压电谐振器的制造方法有效
| 申请号： | 98120894.0 | 申请日： | 1998-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1163980C | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 竹岛哲夫;山崎武志;草开重雅;川合丰 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L41/08 | 分类号： | H01L41/08 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种谐振元件的制造方法，包括以下步骤：制备层叠体；在形成有绝缘薄膜的大致整个表面上形成外部电极；在形成所述外部电极的表面上形成多个凹槽，并平行于所述凹槽地切割层叠体；其中所述第一列中第一组所述开口设置在每一个所述内部电极的交替的暴露部分，而相邻于所述第一列的所述第二列的第二组剩余开口设置在所述内部电极的每一个剩余交替的暴露部分本方法可以高成品率制造谐振元件。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 谐振器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造谐振元件的方法，其特征在于包含以下步骤：制备具有沿层叠的方向相互层叠的多个压电层和多个内部电极的层叠体；在所述内部电极暴露部分上的所述层叠体的第一表面上形成绝缘薄膜，所述绝缘薄膜具有多个排列成列的开口，所述列平行于所述层叠体的层叠方向；在形成有所述绝缘薄膜的表面上，沿着所述谐振元件的高度方向，形成外部电极层；在形成有所述外部电极层的表面上，沿着与所述内部电极垂直的方向，形成多个凹槽；及平行于所述凹槽地切割所述多层叠体，使得切割出的部分中分布有所述凹槽中的一个；其中，第一所述列的第一组所述开口设置在所述内部电极的每一个交替的暴露部分，而相邻于所述第一列开口的第二所述列第二组开口中的开口设置在所述内部电极剩下的交替的暴露部分；所述第一列和第二列相互分开一预定的距离，并且所述凹槽形成在所述第一和第二列之间，此外，还满足关系式0＜X＜(W-a)/2，其中，W是所述谐振元件的宽度，a是所述凹槽的宽度，而x是所述第一列和所述第二列之间预定的尺寸。
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