[发明专利]光检测器有效
| 申请号: | 98120868.1 | 申请日: | 1998-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN1155108C | 公开(公告)日: | 2004-06-23 |
| 发明(设计)人: | 老邑克彦;大泽胜市 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08;H04B10/08;H04B17/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴增勇;张志醒 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 为了提供能够抑制自发噪声的产生并有效地减少外部噪声的光检测器,在n型半导体衬底正面设置p型扩散层,在p型扩散层正面设置p型低电阻层,在n型半导体衬底的反面设置引线框架、中间夹有绝缘树脂薄膜,p型低电阻层电连接到引线框架。光检测器的正面保持地电位,故能防止来自外界的电磁噪声的侵入,亦即外部噪声的影响,所以接收距离得以增大。另外,由于p型扩散层和p型低电阻层之间的接合处不是pn结,故自发噪声的产生得到充分抑制。 | ||
| 搜索关键词: | 检测器 | ||
【主权项】:
1.一种光检测器,其特征在于包括:n型半导体衬底;设置在所述n型半导体衬底正面的p型层;设置在所述p型层正面的p型低电阻层;设置在所述n型半导体衬底反面的导体,所述衬底和所述导体之间夹有绝缘体;设置在所述n型半导体衬底内与其中设置所述p型层的区域不同的区域中的衬底连接区;以及电连接导线,用来在电气上连接所述低电阻层和所述导体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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