[发明专利]用于形成半导体器件中的自对准接触的方法有效
| 申请号： | 98120726.X | 申请日： | 1998-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1161829C | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 布鲁诺·斯普勒;于尔根·威特曼;马丁·古奇;沃尔夫冈·伯格纳;马塞厄斯·伊尔克 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种用于形成半导体器件中的自对准接触的方法，该方法包括：提供一个半导体基片，该半导体基片具有一个上表面，并在其上形成有一个开孔；在所述上表面的至少一部分之上和开孔之内形成一氮化物层；在该氮化物层的至少一部分结合进碳，以形成一个碳化的氮化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 半导体器件 中的 对准 接触 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体器件自对准接触的方法，该方法包括：提供一个半导体基片，该半导体基片具有一个上表面，并在其上形成有一个开孔；在所述上表面的至少一部分之上和开孔之内形成一氮化物层；在该氮化物层的至少一部分结合进碳，以形成一个碳化的氮化物层。在该碳化的氮化物层上形成一个氧化物层，以填充所述开孔；以及蚀刻所述氧化物层，以暴露所述碳化的氮化物层以及在一个包括开孔的位置上形成一个接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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