[发明专利]半导体集成电路无效
| 申请号: | 98120082.6 | 申请日: | 1998-10-06 |
| 公开(公告)号: | CN1133270C | 公开(公告)日: | 2003-12-31 |
| 发明(设计)人: | 岩城宏明;熊谷浩一;黑泽晋 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H03K19/0944 | 分类号: | H03K19/0944 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏,黄敏 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
| 摘要: | 本发明可以使工作模式时的高速动作和备用时的低功耗并存,可以把逻辑电路的电源插入高电位的电源线一侧或者是低电位的电源线一侧中去,需要的控制信号少,模式切换时不需要定时的半导体集成电路。本发明在备用模式时停止逻辑电路的电源供给以实现低功耗的半导体集成电路中,作为控制信号,在工作模式时供给时钟信号,在备用模式时供给使之变成为信息保持状态的信号,作为加上控制信号的MOSFET。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路,根据第一控制信号(SLP)具有工作模式和备用模式,所述半导体集成电路包含:逻辑电路(21b,21c),其一侧的电源端子通过电源开关(201)连接到第一电源上,其另一侧的电源端子直接连接到第二电源上;锁存器电路(21a),包括:第一反相器电路(113),用于接收输入信号;第一导电型MOSFET(213),具有第一阈值,并具有连接到第一电源的第一端子和连接到所述第一反相器电路的第二端子;第二导电型MOSFET(214),具有高于所述第一阈值的第二阈值,并具有连接到低于所述第一电源电压的第二电源的第一端子和连接到所述第一反相器电路的第二端子;信息保持回路,由传送晶体管(112)和反相器电路(114,115)组成,用于接收来自所述第一反相器电路的输出并在所述备用模式保持信息,所述信息保持回路包括第二和第三反相器电路,每个具有连接到所述第一电源的第一电源端子和连接到所述第二电源的电源端子;以及控制信号产生电路(21d),用于接收时钟信号和所述第一控制信号,并用于输出被输入到所述第一导电型MOSFET的第二控制信号(SLP)以及被输入到所述第二导电型MOSFET的第三控制信号(SLPB),其中所述第二和第三控制信号的高电平电压高于所述第一电源的电压,和所述第二和第三控制信号的低电平电压等于所述第二电源电压的电压。
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