[发明专利]半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 98120065.6 | 申请日： | 1998-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1111904C | 公开（公告）日： | 2003-06-18 |
| 发明（设计）人： | 堀川贡弘 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/322 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 制备具有吸气能力的晶片(10)，例如其后表面上具有淀积的多晶硅的PBS晶片、其中含有氧沉淀物的IG晶片等等。在晶片(10)上形成元件分离硅氧化膜(2)，和第一硅氧化膜。然后晶片(10)逐渐冷却到低温，或者冷却到低温然后在固定时间内保持在低温。此后，从晶片(10)去掉第一硅氧化膜(3)，然后清洗晶片(30)。此后，形成栅硅氧化膜(4)和栅极(5)。接下来，进行离子注入以形成源(6)和漏(7)，和进行热处理以使注入的杂质活化，从而形成基本MOS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：将硅晶片在氧化炉中进行热处理，以形成第一硅氧化膜；将其上形成有第一硅氧化膜的硅晶片逐渐冷却到800℃或低于800℃，然后从氧化炉中取出硅晶片；和除去硅晶片上的第一硅氧化膜，然后形成栅硅氧化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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