[发明专利]固态成像器件及其制造方法有效
申请号: | 98119925.9 | 申请日: | 1998-09-02 |
公开(公告)号: | CN1132251C | 公开(公告)日: | 2003-12-24 |
发明(设计)人: | 畑野启介 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H01L21/82 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王忠忠,王岳 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 将第二氧化膜105的膜厚设定为大于第一栅氧化膜103的膜厚,使得在相同电压施加在两个电极上时,各电极下面的沟道电势为±0.2V或更小。所述第二栅氧化膜105是利用CVD方法等形成的。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造固态成像器件的方法,该方法包括下列步骤:在第一导电类型的半导体衬底上形成第二导电类型的阱层,作为电荷转移部分;在整个表面上形成第一栅绝缘膜,并在随后形成第一多晶硅膜,然后将该第一多晶硅膜图形化,以形成第一电荷转移电极;整个地或部分地去除所述第一栅绝缘膜的暴露部分,其后在整个表面上形成第二栅绝缘膜;以及在所述第二栅绝缘膜上形成第二多晶硅膜,然后将该第二多晶硅膜图形化,以形成第二电荷转移电极;其中:所述第二栅绝缘膜的膜厚大于所述第一栅绝缘膜的膜厚;以这样的方式设定所述第一栅绝缘膜和所述第二栅绝缘膜的膜厚,使在所述第一电荷转移电极和所述第二电荷转移电极两个电极被施加相同电压时,所述第一电荷转移电极下面的沟道电势和所述第二电荷转移电极下面的沟道电势大致相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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