[发明专利]带难熔金属衬里的铜栓结构有效
| 申请号： | 98119730.2 | 申请日： | 1998-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1149653C | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | J·M·E·哈柏;R·M·格夫肯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/31;H01L23/52 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新;王忠忠 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种具有增加电迁移寿命的多层互连电子元件。互连为栓的形式，包括具有一沿侧壁的难熔金属扩散阻挡衬里的垂直侧壁。在栓的底部没有阻挡层，栓的底部接触元件介质层上的金属化敷层。附着层形成于栓的底部和金属化敷层的表面之间，附着层可以连续或不连续。附着层优选在元件的制备或使用期间通过加热溶解在栓或金属化敷层的金属如铝。优选的元件利用了双金属镶嵌结构。 | ||
| 搜索关键词： | 带难熔 金属 衬里 结构 | ||
【主权项】：
1.具有增加的电迁移寿命的电子元件中的一种互连结构，其特征在于含有：一个介质层；位于所述介质层下的含有金属材料的第一导体层；一槽或通孔，穿过所述介质层延伸到所述第一导体层；第一衬里，沿所述槽或通孔的侧壁，用于向所述介质提供一扩散阻挡层；包括所述金属材料的第二导体层，所述金属材料填充接触所述第一导体层的所述槽或通孔，所述第一衬里不位于所述第一和第二导体层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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