[发明专利]用于动态随机存取存储器的存储单元

摘要

一种形成存储单元的方法包括在硅芯片上形成沟槽;在沟槽壁上形成介电层;用多晶硅填充沟槽;在芯片表面生长外延硅层,以在沟槽顶部形成单晶硅层,用作第一源/漏极;对外延硅层构图形成凸台;形成第一介电层;凸台侧面形成隔离物去除凸台侧面之外的第一介电层;形成第二介电层;去除侧壁隔离物,保留凸台侧面的第一介电层,用作栅极氧化物;在第二介电层表面上形成第一多晶硅层;形成第三介电层;平面化以暴露凸台表面;在凸台上形成第二多晶硅层,以在凸台上形成一个多晶硅凸台。

主权项

1．一种用于形成存储单元的方法，该方法包括以下步骤：在一种导电类型的一硅芯片上形成一个沟槽；在该沟槽的壁之上形成一介电层；用不同于芯片的导电类型的多晶硅填充该沟槽；在芯片的表面之上生长一层足够厚的外延硅层，以在沟槽的顶部形成一层基本上为单晶的硅层，此硅层的导电类型不同于芯片的导电类型，用作一第一源/漏极；对该外延硅层构图，以形成一个在沟槽之上的凸台；在芯片表面之上形成一第一介电层，覆盖所述外延硅凸台；在所述凸台侧面形成隔离物，该凸台为这样一种材料，其中，可将所述第一介电层相对于隔离物选择性地去除；从芯片的表面和外延硅凸台的顶表面去除第一介电层，其中所述隔离物保护第一介电层，使凸台侧面的第一介电层免遭去除；在芯片的表面之上形成一第二介电层；去除所述侧壁隔离物，保留凸台侧面的所述第一介电层，凸台侧面的第一介电层用作栅极氧化物；在第二介电层的表面之上形成不同于芯片的导电类型的一第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层的表面之上形成一第三介电层；平面化该第三介电层，以暴露外延硅凸台的表面；以及在所述外延硅凸台之上形成并构图一个不同于芯片的导电类型的第二多晶硅层，以在所述外延硅凸台上形成一个多晶硅凸台。