[发明专利]高亮度发光二极管有效
| 申请号： | 98119349.8 | 申请日： | 1998-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN1149684C | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 张盼梓;陈泽澎;杜全成 | 申请（专利权）人： | 国联光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 林道廉 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种高亮度发光二极管包含具有一导电性的半导体基片，一具有N型的下限制层，一不掺杂质的磷化铝镓铟工作层或多重量子阱结构，以及带P型的上限制层结构。此上限制层结构包含四元素半导体材料磷化铝镓铟(AlxGa1-x)In1-yP在此结构中加入了一层薄而具有高电阻的材料，以改良发光二极管的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 亮度 发光二极管 | ||
【主权项】：
1、一种高亮度发光二极管，其特征在于，包含：一N型砷化镓基片；一形成于该基片上N型的磷化铝镓铟下限制层；一形成于该下限制层之上，不掺杂质的磷化铝镓铟工作层；以及一上限制层结构，包含：成长在所述工作层上，是晶格常数与所述基片匹配的第一层P型的磷化铝镓铟层；成长在所述第一层P型的磷化铝镓铟层之上，具有高电阻的第二层P型的磷化铝镓铟电阻层；成长在上述第二层P型的磷化铝镓铟层之上，是第三层P型的高能带隙高导电性磷化铝镓铟接触层，其中：0＜铟＜30％。
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