[发明专利]用磁性能低的稀土-铁-硼废磁体制造永磁体有效

专利信息
申请号: 98119303.X 申请日: 1998-09-11
公开(公告)号: CN1248051A 公开(公告)日: 2000-03-22
发明(设计)人: 潘树明 申请(专利权)人: 潘树明
主分类号: H01F1/08 分类号: H01F1/08;H01F1/053;H01F41/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100088*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种稀土-过渡金属-硼永磁合金废磁体制造永磁体的方法。熔炼一种富稀土的液相合金,配方R100-xTMxByEz(R-稀土,TM-过渡金属,B-硼,E-为氧,氮、氩、氯气体,x=0.1—96,y=2—30),在N2气保护下制粉,按一定比例加到废磁体粉末中,在磁场中成型、烧结。时效、加工、磁化。
搜索关键词: 磁性 稀土 磁体 制造 永磁体
【主权项】:
1、一种制造永磁体的方法,特别是涉及一种稀土—过渡金属—硼永磁合金废磁体制造永磁体的方法,它包括下列步骤:把磁性低的稀土—过渡金属—硼永磁合金废磁体清洗、制粉、配入富稀土液相合金,混匀,在磁场中成型、烧结、时效、加工、磁化。其特征在于:根据R100-xTMxByEz(R至少是包括y在内的稀土元素之一,TM是Fe和添加元素,B是硼,E为氧、氮、氩、氯气体,x=0.1-96,y=2-30)在中频感应炉中熔炼制粉,以一定比例配入废磁体粉末中,混合混匀,在磁场中成型,烧结,磁化制成永磁体,该永磁体基本组成按原子百分比为12-17%R(R至少是包括y在内的稀土元素之一),5.8-12%B,不超过5-15%添加元素M(0%除外)M至少是从下列元素群中选出的一种,这些元素是:Al、Nb、Mo、V、W、Cr、Ti、Zr、Hf、Ga,余量为Fe和不可避免的杂质。其R里至少有78%Nd和(或)Pr,磁体主要由下述相组成:占体积总数80-98%的基体相,即磁性相、分子式为R2TM14B具有四方晶结构。其次为少量的富Nd相或富稀土相(Nd,Pr,Dy,Tb……)富硼相:Nd1+εTM4B4(ε=0.05-0.4)RTM2Oy相,RTM2相和α-TM相。
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