[发明专利]电平转换电路有效
| 申请号： | 98119208.4 | 申请日： | 1998-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN1143433C | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | Z·马尼奥基 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H03K19/017 | 分类号： | H03K19/017 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良;王岳 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 电平转换电路，具有第一导电类型的第一晶体管(1)及第二晶体管(2)，具有一个第二导电类型的第三晶体管(3)，其中第二晶体管(2)及第三晶体管(3)的节点构成了电平转换电路的输出端(A)，具有一个第二导电类型的第四晶体管(4)，具有一个电容(5、6)，它连接在第三及第四晶体管(3、4)的控制端子之间，及具有一个箝位电路，它连接在第四晶体管(4)的控制端子前面。 | ||
| 搜索关键词： | 电平 转换 电路 | ||
【主权项】：
1.一种电平转换电路，具有一个p型或者n型导电类型的第一MOS场效应晶体管(1)及一个同样导电类型的第二MOS场效应晶体管(2)，所述第一和第二MOS场效应晶体管的栅极分别通过其中另一个MOS场效应晶体管的源极-漏极连接到第一电源电位(V1)上，具有一个与第一MOS场效应晶体管的极性相反的导电类型的第三MOS场效应晶体管(3)，它的源极-漏极连接在第一MOS场效应晶体管(1)的栅极及参考电位(M)之间，及它的栅极与电位转换电路的输入端(E)相连接，其中第二MOS场效应晶体管(2)及第三MOS场效应晶体管(3)的交点与电平转换电路的输出端(A)相连接，具有一个与第一MOS场效应晶体管的极性相反的导电类型的第四MOS场效应晶体管(4)，它的源极-漏极连接在第二MOS场效应晶体管(2)的栅极和第三MOS场效应晶体管(3)的栅极之间，具有一个电容(5，6)，它连接在第三及第四MOS场效应晶体管(3，4)的栅极之间，及具有一个箝位电路，它连接在第四MOS场效应晶体管(4)的栅极的前面。
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