[发明专利]动态随机存取存储器电容器的制造方法

摘要

一种半导体元件电容器的制造方法,其主要是利用自动对准制作工艺形成冠状的电容器下电极结构,克服现有技术的设计规则、光源解析度对尺寸大小的限制,并解决对准误差的问题,还利用在冠状多晶硅层结构上沉积一半球颗粒多晶硅层,藉以增加电容器下电极的表面积而提升电容值。

主权项

1.一种动态随机存取存储器电容器的制造方法，一基底至少形成有一MOS晶体管，该MOS晶体管的一位线电连接至该MOS晶体管的源/漏极区之一，该制造方法至少包括下列步骤：a.在该基底上形成一绝缘层，覆盖住该MOS晶体管与该位线，限定该绝缘层，形成一介层窗，暴露出该MOS晶体管的源/漏极区之一；b.在该绝缘层上形成一第一多晶硅层，在该第一多晶硅层上形成一氮化硅层；c.施加一光致抗蚀剂层，限定该第一多晶硅层与该氮化硅层，形成一柱状结构，其中该柱状结构包括填入该介层窗的该第一多晶硅层；d.去除部分该光致抗蚀剂层，以部分该光致抗蚀剂层限定该氮化硅层，去除未被该光致抗蚀剂层覆盖的该氮化硅层，暴露出该第一多晶硅层的部分表面，之后去除全部光致抗蚀剂；e.在暴露出的该第一多晶硅层表面形成一氧化物层；f.去除该第一多晶硅层上的该氮化硅层，暴露出被该氮化硅层覆盖的该第一多晶硅层表面；g.以该氧化物层为掩模，沿暴露出的该第一多晶硅层表面蚀刻该第一多晶硅层，但不穿透该第一多晶硅层；h.去除该氧化物层，完成该电容器该下电极的一主体；以及i.在该下电极上形成一介电层，以及在该介电层上形成一第二多晶硅层作为该电容器的一上电极。