[发明专利]透明导电膜和制备该透明导电膜的组合物有效
| 申请号： | 98117535.X | 申请日： | 1998-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1220291A | 公开（公告）日： | 1999-06-23 |
| 发明（设计）人： | 林年治;冈友子;涩田大介 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C09D5/24 | 分类号： | C09D5/24;C03C17/22;C03C17/34;H01J29/88;H01J29/89 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及低电阻和低反射率的透明导电膜,它具有高反射率的底涂层,其中含细金属粉末和黑色粉末,以及二氧化硅为基的低反射率上涂层。底涂层表面呈凹凸状。凸部平均高度为20－300纳米,平均厚度50－150纳米。凹部平均厚度为凸部厚度的50－85%。将细金属粉末和黑色粉末在溶剂中的分散溶液涂在透明基体上、通过干燥形成无粘结剂的导电膜。在该膜上涂覆烷氧基硅烷或其水解产物,形成二氧化硅为基的导电膜。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 制备 组合 | ||
【主权项】：
1、一种具有低反射率和电磁波屏蔽性能的透明导电膜，其包括在透明基体表面上的含细金属粉末的底涂层，其中该细金属粉末在基于二氧化硅的基体中。
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