[发明专利]半导体存储器件的输出电路无效

专利信息
申请号: 98117443.4 申请日: 1998-08-28
公开(公告)号: CN1132190C 公开(公告)日: 2003-12-24
发明(设计)人: 各务昭彦 申请(专利权)人: 日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司
主分类号: G11C11/407 分类号: G11C11/407;H01L27/06
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供了半导体存储器件的一种输出电路,它能防止两个晶体管处于导通-导通状态,包括第一与第二传输门,第一与第二锁存器,预充电信号发生器,第一与第二晶体管驱动器,第一与第二互补的输出晶体管。在互补的第一与第二读总线数据信号分别被第一与第二传输门传输以及由锁存器锁存在第一与第二节点前,第一与第二节点分别由预充电信号预充电到相同电位。
搜索关键词: 半导体 存储 器件 输出 电路
【主权项】:
1.半导体存储器件的输出电路,其特征在于包括:第一与第二传输门,用于接收第一与第二互补的读总线数据信号,并且根据一传输门控制信号将上述第一与第二读总线数据信号分别传输给第一和第二节点;第一与第二锁存器,用于分别将由上述第一与第二传输门传输的上述第一与第二读总线数据信号锁存在上述第一与第二节点上;预充电信号发生器,用于产生预充电信号,控制第一与第二预充电晶体管,以分别将上述第一与第二节点预充电到相同电位;第一与第二晶体管驱动器,用于分别根据由第一与第二锁存器锁存在第一与第二节点上的第一与第二读总线数据信号,输出第一与第二驱动信号;第一与第二互补的输出晶体管,它们分别由第一与第二晶体管驱动器输出的上述第一与第二驱动信号驱动;在上述互补的第一与第二读总线数据信号分别被第一与第二传输门传输以及分别被第一与第二锁存器锁存在第一与第二节点上前,第一与第二节点分别由预充电信号预充电到相同电位,由此从第一与第二晶体管驱动器输出的上述第一与第二驱动信号在不同时间被分别输出到上述第一与第二输出晶体管,从而防止上述第一与第二输出晶体管出现导通-导通状态。
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