[发明专利]劈栅闪速存储单元的制造方法

摘要

一种劈栅存储单元的制造方法，该存储单元包括源和漏扩散区(6和9)、浮置栅极绝缘膜(2)、浮置栅极(3)、控制栅极绝缘膜(4)、和控制栅极(10)，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底(1)的选择区域上依次形成浮置栅极绝缘膜(2)和浮置栅极(3)；在浮置栅极(3)上和半导体衬底(1)的其余面积上形成控制栅极绝缘膜(4)，控制栅极绝缘膜(4)具有与浮置栅极(3)的侧壁接触的侧壁部分；进行第一杂质的离子注入，在半导体衬底(1)的其余面积的第一部分上形成源扩散区(6)；形成与控制栅极绝缘膜(4)的侧壁部分接触的侧壁电极(8)；进行第二杂质的离子注入，在半导体衬底(1)的其余面积的第二部分上，形成与侧壁电极(8)自对准的漏扩散区(9)；和在控制栅极绝缘膜(4)和侧壁电极(8)上形成控制栅极(10)。

主权项

1.一种劈栅存储单元的制造方法，该存储单元包括源和漏扩散区(6和9)、浮置栅极绝缘膜(2)、浮置栅极(3)、控制栅极绝缘膜(4)、和控制栅极(10)，所述方法包括：第一步骤，在半导体衬底(1)的选择区域上依次形成所述浮置栅极绝缘膜(2)和所述浮置栅极(3)；第二步骤，在所述浮置栅极(3)上和所述半导体衬底(1)的其余区域上形成控制栅极绝缘膜(4)，所述控制栅极绝缘膜(4)具有与所述浮置栅极(3)的侧壁接触的侧壁部分；第三步骤，进行第一杂质的离子注入，在半导体衬底(1)的所述其余区域的第一部分形成所述源扩散区(6)；第四步骤，形成与控制栅极绝缘膜(4)的所述侧壁部分接触的侧壁电极(8)；第五步骤，进行第二杂质的离子注入，在半导体衬底(1)的所述其余区域的第二部分形成与所述侧壁电极(8)自对准的所述漏扩散区(9)；和第六步骤，在所述控制栅极绝缘膜(4)和所述侧壁电极(8)上形成所述控制栅极(10)；其中所述第三步骤包括以下步骤：进行所述第一杂质的离子注入，在所述半导体衬底(1)的其余区域的所述第一部分形成所述源扩散区(6)，所述半导体衬底(1)的其余区域的所述第二部分和与之相邻的所述浮置栅极(3)的一部分由光刻胶图形(5)掩盖。