[发明专利]具有分离栅极与源极注入的快闪存储器及其制造方法

摘要

一种具有分离栅极与源极注入的快闪存储器及其制造方法，使用相同的多晶硅层来形成浮置栅与控制栅，在浮置栅下方具有一穿隧氧化层，控制栅下方具有一栅氧化层，且穿隧氧化层厚度较栅氧化层厚度薄。由于浮置栅与控制栅是以同一多晶硅层所限定，所以使得本发明中多晶硅层所产生的间隙壁，容易控制控制栅与浮置栅间的沟隙宽度，提供一具有可靠性与可重复制造的单元阵列。

主权项

1.一种具有分离栅极与源极注入的快闪存储器的制造方法，包括：提供一硅衬底；形成一栅氧化层；形成一分离栅极掩膜，将部分栅氧化层去除，再去除该分离栅极掩膜；形成一穿隧氧化层；沉积一第一多晶硅层；去除部分该第一多晶硅层，以形成一控制栅与一浮置栅；沉积一第二多晶硅层；去除该第二多晶硅层，以在该控制栅与浮置栅两侧各形成一间隙壁，并在该浮置栅与控制栅之间形成一沟隙；于所述穿隧氧化层下方形成一源极区；以及于所述栅氧化层下方形成一漏极区；其中，所述分离栅极掩膜位于所述控制栅上方。