[发明专利]半导体基片的处理系统及处理方法无效
| 申请号： | 98114795.X | 申请日： | 1998-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1214535A | 公开（公告）日： | 1999-04-21 |
| 发明（设计）人： | 小西瞳子;伴功二;浅冈保宏 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种在半导体基片的湿法洗涤和腐蚀工艺中,可以防止基片表面变粗糙并能提高产品合格率的处理系统。该半导体基片处理系统包括以下装置臭氧发生装置11、使该臭氧溶解于半导体基片处理用药液或纯水中的喷射器10、对溶解了臭氧的药液或纯水照射紫外线以控制药液或纯水中的臭氧浓度的紫外线照射装置9、以及用臭氧浓度受到控制的药液或纯水对半导体基进行处理的处理槽5。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 系统 方法 | ||
【主权项】：
1．一种半导体基片处理系统，其特征在于，它包括以下装置：发生臭氧的臭氧发生装置、使该臭氧溶解于半导体基片处理用药液或纯水中的臭氧溶解装置、对溶解了上述臭氧的药液或纯水照射紫外线并借此控制上述药液或纯水中的臭氧浓度的浓度控制装置、以及用于接受上述臭氧浓度受到控制的药液或纯水，并对其内部收容的半导体基片进行处理的基片处理槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
