[发明专利]光学记录中作为相变媒质的Ⅲ族金属氮化物薄膜有效
| 申请号： | 98114708.9 | 申请日： | 1998-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN1211032A | 公开（公告）日： | 1999-03-17 |
| 发明（设计）人： | 小N·A·博亚株克;S·古哈;邓伟松;A·古普塔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24;G11B11/03 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,王岳 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了基于Ⅲ族金属氮化物半导体的用于光学存储的相变媒质。这些宽禁带半导体薄膜的表面通过用光子照射而金属化(通过脱氮)。结果,这些材料成为写一次读多次的存储媒质,因为金属与相应的宽禁带氮化物之间的反射率差异非常大。此外,一旦完成脱氮,写操作之后的金属相就不能够恢复到氮化物相,因此媒质是稳定的并真正是写一次系统。其它优点包括高反射率对比度和适于使用短波长激光二极管(460nm及更短)。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 记录 作为 相变 媒质 金属 氮化物 薄膜 | ||
【主权项】：
1．一种光学记录媒质，由组份为MN、位于衬底上的金属氮化物薄膜构成，其中M是Ⅲ族金属中的金属，N是氮。
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