[发明专利]制备卤化银乳剂的装置和方法无效
| 申请号： | 98109481.3 | 申请日： | 1998-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1138180C | 公开（公告）日： | 2004-02-11 |
| 发明（设计）人： | 高田宏;石川贞康;伊藤聪 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡株式会社 |
| 主分类号： | G03C1/015 | 分类号： | G03C1/015;G03C1/005 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 巫肖南 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备卤化银乳剂的装置，其中该装置的工艺条件是，在从卤化银颗粒开始生长到生长结束的整个期间内，任意控制在卤化银乳剂中的卤化银颗粒生长过程中的平均颗粒间距，使其维持在如下所限定的：平均颗粒间距＝(反应混合液的体积/反应混合液中的颗粒数量)1/3。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 卤化 乳剂 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用以下装置制备卤化银乳剂的方法，该装置包括反应器、引入银盐的部件、引入卤盐的部件和超滤装置，该方法包括：经引入银盐的部件和引入卤盐的部件向反应容器中引入银盐和卤盐从而在反应器的溶液中形成卤化银颗粒，并使卤化银颗粒生长；在卤化银颗粒的生长过程中，采用超滤装置控制平均颗粒间距，使其维持在颗粒生长开始时的平均颗粒间距的不小于0.60倍～不大于1.15倍；和当平均颗粒间距控制在不小于0.60倍并且不大于1.00倍的颗粒生长开始时的平均颗粒间距时，向颗粒中引入位错线；其中平均颗粒间距＝(反应混合液的体积/反应混合液中的颗粒数量)1/3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于柯尼卡株式会社，未经柯尼卡株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98109481.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
