[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

提供在孔内埋入Al系合金的高温溅射结束后，能够立即在无破坏下检测埋入不良的半导体器件的制造方法。在晶片上设有元件形成区和检查图形形成区，在半导体基片l和绝缘膜2上形成布线层3，在布线层3和半导体基片1上形成层间绝缘膜4，在元件形成区的层间绝缘膜4上形成露出布线层3的第一孔，在检查图形形成区的层间绝缘膜上形成露出半导体基片1的与第一孔相同形状的第二孔，在第一和第二孔内埋入Al系合金，观察第二孔，检查在第一孔上是否产生了空隙。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于包括下列工序：一方面在有元件形成区和检查图形形成区的半导体晶片的所述元件形成区上形成布线层，另一方面在所述检查图形形成区上不形成布线层；在整个面上形成层间绝缘膜；通过有选择地除去所述层间绝缘膜，形成露出在所述元件形成区上形成的所述布线层一部分的第一孔和形成露出所述检查图形形成区硅层一部分的第二孔；和在所述第一和第二孔内埋入Al系合金；还包括在所述第一和第二孔内埋入Al系合金后，观察所述检查图形形成区的所述第二孔的工序，由此检查在所述元件形成区的所述第一孔中是否产生了空隙。