[发明专利]半导体激光装置和光拾取装置无效
| 申请号： | 98109223.3 | 申请日： | 1998-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN1154989C | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 东浦一雄;林善雄;武田正 | 申请（专利权）人： | 株式会社三协精机制作所 |
| 主分类号： | G11B7/125 | 分类号： | G11B7/125 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体激光装置和光拾取装置，包括在半导体激光装置(1)中，使得棱镜(5)将倾斜面(50)朝向辅助安装架(3)上的半导体激光器(4)的射出面，在倾斜面(50)上形成用于反射来自半导体激光器(4)的激光(L1)的一部分的进行了表面处理的反射区域(51)、和穿透折射残余的光并引导到在半导体基片(2)的表面部分(2b)上用棱镜覆盖的监控用光检测器(6)的感光面(6a)上的穿透折射区域(52)，基于在感光面(6a)的感光结果、反馈控制半导体激光器的发光量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 拾取 | ||
【主权项】：
1 一种半导体激光装置，其特征在于，包括：半导体基片；设置在所述半导体基片上的半导体激光器；设置在所述半导体基片的表面上的棱镜，使得倾斜面朝向与所述半导体激光器相对的一侧；在用所述棱镜覆盖的所述半导体基片的表面部分上形成的监控用光检测器；在所述棱镜的所述倾斜面上包括反射区域和穿透折射区域，所述反射区域被实施了表面处理以用于反射从所述半导体激光器出射光的一部分，所述穿透折射区域穿透并折射所述出射光的剩余部分并且作为监视光引导至所述监控用光检测器的感光面上，并且，从所述半导体激光器出射光的剩余部分设置成穿透棱镜内部并产生折射，且在棱镜内导向所述监控用光检测器。
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