[发明专利]CMOS结构半导体器件的制备方法

摘要

一种CMOS结构半导体器件制备方法，以第一加速能量将n型掺杂剂离子注入NMOS区中的第一对n型源/漏区的表面区和第一栅极的表面区，由此形成多个第一非晶区。以比第一加速能量低的第二加速能量，将n型掺杂剂离子注入进PMOS区的第二对p型源/漏区的表面区和第二栅极的表面区，由此形成多个第二非晶区。

主权项

1.一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：(a)在半导体衬底中限定形成n沟道MOSFET的NMOS区和形成p沟道MOSFET的PMOS区；(b)分别通过第一和第二栅绝缘层在所说NMOS和PMOS区上形成第一和第二栅极；(c)在所说NMOS区中形成第一对n型源/漏区；(d)在所说PMOS区中形成第二对p型源/漏区；(e)以第一加速能量，将n型掺杂剂选择性地离子注入进所说NMOS区中的所说第一对n型源/漏区的表面区和所说第一栅极的表面区，由此在所说NMOS区的所说第一对n型源/漏区及所说第一栅极的表面区形成多个第一非晶区。(f)以比所说第一加速能量低的第二加速能量，将n型掺杂剂离子注入进所说PMOS区中的所说第二对p型源/漏区的表面区和所说第二栅极的表面区，由此在所说PMOS区的所说第二对p型源/漏区和所说第二栅极的表面区形成多个第二非晶区；按下面方式设置所说第二加速能量，使所说PMOS区中所说第二对p型源/漏区的底部基本不会因为形成所说多个第二非晶区所进行的所说n型掺杂剂的离子注入而漂移；(g)形成高熔点金属层，使之与所说NMOS区中所说多个第一非晶区及所说PMOS区中所说多个第二非晶区接触；(h)热处理所说高熔点金属层、所说NMOS区中的所说多个第一非晶区、及所说PMOS区中的所说多个第二非晶区，由于硅化反应，以与所说第一和第二栅极及所说多对第一和第二源/漏区自对准的方式形成硅化物层。