[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 98107732.3 | 申请日： | 1998-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN1129955C | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;大谷久;大沼英人 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王忠忠,叶恺东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 采用其中利用镍使非晶硅膜结晶化的结晶性硅膜，获得特性稳定的TFT。利用掩膜109在111、112区域加速注入磷离子。通过施加加热处理，使113区域存在的镍向111、112区域吸杂。之后，对掩膜109侧腐蚀，获得115的图形。利用此图形115除去111、112的区域，再对113的区域制图。这样获得除去镍元素的116区域。再以此116区域作为有源层制备TFT。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，它包括下列工序：在覆盖住衬底的绝缘表面上形成非晶硅半导体膜；往所述非晶硅半导体膜加入起晶化促进作用的金属催化剂；加热所述非晶硅半导体膜和所述金属催化剂使所述非晶硅半导体膜晶化，其中所述金属催化剂在晶化过程中扩散入所述半导体膜中；只往晶化后半导体膜的第一部分中加入吸气剂；加热晶化后的半导体膜和吸气剂以除去包含在半导体膜毗邻所述第一部分的第二部分中的金属催化剂；和除去至少所述第一部分，以在所述第二部分中形成半导体器件的有源区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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