[发明专利]有源矩阵型液晶显示装置的制造方法有效
| 申请号: | 98105892.2 | 申请日: | 1998-03-26 |
| 公开(公告)号: | CN1099612C | 公开(公告)日: | 2003-01-22 |
| 发明(设计)人: | 远藤幸雄;中村伸宏;小河育夫 | 申请(专利权)人: | 先进显示份有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 电气光学元件的制造方法,包含光刻工序的5个工序(1)在绝缘性基板上形成第1金属薄膜,形成栅电极,形成第1绝缘膜、半导体有源膜和欧姆接触膜,(2)对半导体有源膜和欧姆接触膜进行图形刻蚀,使其成为比源布线和TFT部分大的连续形状,形成第2金属薄膜,(3)形成源布线和漏电极,形成第2绝缘膜,(4)对第2绝缘膜和第1绝缘膜进行图形刻蚀,形成两个接触孔,形成导电性薄膜,(5)对导电性薄膜进行图形刻蚀,形成象素电极。 | ||
| 搜索关键词: | 有源 矩阵 液晶 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种有源矩阵型液晶显示装置的制造方法,包括:在TFT阵列基板和对置基板之间夹住液晶层,将所述TFT阵列基板和对置基板粘接在一起,而且在所述TFT阵列基板的上侧和对置基板的下侧分别设置偏光板,其中所述TFT阵列基板是这样构成的,在第1绝缘性基板上以阵列状形成具有电连接薄膜晶体管的象素电极,而且在正交状态下以矩阵状形成按线依次扫描选择各所述薄膜晶体管的栅布线和提供写入到象素电极的信号电位的源布线,所述对置基板是在第2绝缘性基板上形成彩色滤光器和共用电极而构成的,所述有源矩阵型液晶显示装置的制造方法至少包括下述工序:(a)在所述第1绝缘性基板上形成了第1金属薄膜之后,在第1次光刻工序中对所述第1金属薄膜进行图形刻蚀,以形成所述栅布线和所述薄膜晶体管的栅电极的工序;(b)在形成第1绝缘膜、半导体有源膜和欧姆接触膜之后,在第2次光刻工序中用干法刻蚀对所述半导体有源膜和欧姆接触膜进行图形刻蚀,使其成为连续形状的工序;(c)在形成了第2金属薄膜之后,在第3次光刻工序中对所述第2金属薄膜进行图形刻蚀,以形成所述源布线和所述薄膜晶体管的源电极和漏电极,其中形成所述源布线和所述薄膜晶体管的部分比步骤(b)中所形成的所述半导体有源膜和欧姆接触膜图形刻蚀后剩余的部分小,再用干法刻蚀以刻蚀法除去从所述源布线、所述源电极和所述漏电极伸出的部分的所述欧姆接触膜的工序;(d)在形成了第2绝缘膜之后,在第4次光刻工序中对所述第2绝缘膜和第1绝缘膜进行图形刻蚀,至少形成贯通到所述漏电极表面的象素接触孔、贯通到所述第1金属薄膜表面的第1接触孔和贯通到所述第2金属薄膜表面的第2接触孔的工序;和(e)在形成了导电性薄膜之后,在第5次光刻工序中对所述导电性薄膜进行图形刻蚀,以形成象素电极的工序。
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