[发明专利]槽型元件分离结构的制造方法

摘要

提供一种在槽型元件分离的埋入氧化膜的边缘部分不发生凹洼的槽型元件分离结构的制造方法。解决的方法是不仅在硅衬底上形成的槽内部的埋入氧化膜的周围、而且在从硅衬底表面向上方突出的埋入氧化膜的侧面也形成耐刻蚀性比CVD膜高的热氧化膜。

主权项

1.一种槽型元件分离结构的制造方法，该方法在形成于硅衬底上的槽内经由热氧化膜埋入了从上述硅衬底表面向上方突出的埋入氧化膜，其特征在于包括：在上述硅衬底上夹着下层氧化膜形成非单晶硅膜，并在该非单晶硅膜上形成氮化硅膜后，形成从上述氮化硅膜表面到上述硅衬底内的槽，使得该非单晶硅膜和该氮化硅膜具有与上述硅衬底的槽壁部分连续的侧壁部分的槽形成工序；在包含上述槽侧壁部分的上述槽内部的表面以及上述非单晶硅膜的上述侧壁部分上，形成与上述下层氧化膜无界面地连接的热氧化膜的热氧化工序；在上述热氧化工序之后，在上述槽内部和上述非单晶硅膜上，堆积上述埋入氧化膜的堆积工序；在上述堆积工序之后，将上述氮化硅膜作为挡板，减小上述埋入氧化膜的膜厚，在将上述埋入氧化膜只留在上述槽内部之后，除去上述氮化硅膜的除去工序；和在除去上述氮化硅膜的除去工序之后，除去不包括上述被热氧化了的侧壁部分的上述非单晶硅膜的除去工序；形成上述埋入氧化膜，使得上述埋入氧化膜的从上述硅衬底表面向上方突出的侧面上也形成上述热氧化膜。