[发明专利]磁头无效
| 申请号: | 98104293.7 | 申请日: | 1998-01-22 |
| 公开(公告)号: | CN1137465C | 公开(公告)日: | 2004-02-04 |
| 发明(设计)人: | 田河育也 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
| 主分类号: | G11B5/31 | 分类号: | G11B5/31 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 杜日新 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 一种磁头包括:下磁极(21);绝缘层(23),形成在下磁极(21)上;线圈,配置在下磁极(21)上方穿过绝缘层(23)以及上磁极(24),上磁极具有极尖部分(24a),相对下磁极(21)形成间隙并且该上磁极由在绝缘层(23)上由具有饱和磁通密度为Bs(T),电阻率为ρ(μΩcm)的磁性材料构成,层厚为δ(μm),上磁极(24)的两侧边由具有极尖部分(24a)的根部延伸形成锥角θ(度),由此上磁极(24)可以满足(1+tgθ)δBs/∴≤1.0的条件。 | ||
| 搜索关键词: | 磁头 | ||
【主权项】:
1.一种磁头,包括:下磁极(21);绝缘层(23),形成在所述下磁极(21)上;线圈(22),配置在所述下磁极(21)上方,穿过所述绝缘层(23);以及上磁极(24),具有极尖部分(24a),相对所述下磁极(21)具有间隙,在该处形成有间隙层(25),所述上磁极在所述绝缘层(23)上由饱和磁通密度为Bs(T)以及电阻率为p(μΩcm)的磁性材料构成,层厚为δ(μm),所述上磁极(24)的两侧由所述磁极的根部延伸形成锥角θ(度);其中所述上磁极(24)满足(1+tgθ) 的条件。
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