[发明专利]二端非线性元件及其制造方法和液晶显示屏无效
| 申请号： | 98103902.2 | 申请日： | 1998-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN1117401C | 公开（公告）日： | 2003-08-06 |
| 发明（设计）人： | 井上孝;高野靖;直野秀昭;伊藤涉;浅川勉;宇敷武义 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L49/00 | 分类号： | H01L49/00;G02F1/133 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正,叶恺东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种时效变化小的MIM型非线性元件、使用了这种元件的液晶显示屏、以及这种元件的制造方法。这种元件包括第1导电膜、绝缘膜及第2导电膜。在利用SIMS的元素分析中，氢光谱在峰值强度小1位的强度处，在深度方向上的厚度为10nm以上。在热解吸分光谱中，氢光谱的峰值温度为300℃以上。制造这种元件的方法包括形成第1导电膜、在300℃以上进行热处理、形成绝缘膜及形成第2导电膜等工序。 | ||
| 搜索关键词： | 非线性 元件 及其 制造 方法 液晶显示屏 | ||
【主权项】：
1.一种二端非线性元件，具有：设置在以给定的图样配置有信号线和像素电极的基板上的第1导电膜；通过将上述第1导电膜作阳极氧化而设在上述第1导电膜上的绝缘膜；和设在上述绝缘膜上的第2导电膜；上述第1导电膜与上述信号线连接，上述第2导电膜与上述像素电极连接；其特征在于：在利用依据铯一次离子照射的二次离子质量分析法获得的元素分析中，在所述第一导电膜与所述绝缘膜的边界区内，在氢的光谱强度比峰值强度小一数量级处，在深度方向上的厚度为10nm以上。
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