[发明专利]具有不同晶体沟道生长方向的半导体器件的制造方法

摘要

一种有源矩阵和液晶显示器，其外围电路部分中配置有迁移率高能容许大量导通状态电流流过的TFT，其像素部分中配置有截止状态电流小的TFT。这些性能不同的TFT是采用晶体生长方向平行于衬底的晶体硅薄膜构成的。就是说，令晶体生长方向与载流子流动方向之间形成的角度彼此不同从而控制载流子流动时受到的阻力进而确定TFT的性能。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在一衬底上形成基本上是非晶的硅膜；在形成所述硅膜的前或后，将一能促进结晶的金属元素引进所述硅膜；通过加热使所述硅膜结晶，使得晶体在和加入了所述金属元素的一部分毗邻的区域的所述衬底表面大约相平行的方向上生长；以及在该硅膜的所述区域里形成多个薄膜晶体管，其中一部分的所述薄膜晶体管以这样的方式设置，使得其结晶硅膜的晶体生长方向与沿着载流子流动的方向成第一角度，而另一部分的所述薄膜晶体管以这样的方式设置，使得其结晶硅膜的晶体生长方向与沿着载流子流动的方向成第二角度，所述第一角度与所述第二角度不同，其中所述金属元素是选自Ni、Fe、Co、Pd和Pt组合中的至少一种元素。