[发明专利]半导体器件的电容器的形成方法无效
| 申请号： | 98102096.8 | 申请日： | 1998-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN1129171C | 公开（公告）日： | 2003-11-26 |
| 发明（设计）人： | 林灿 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 袁炳泽,黄敏 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明关于一种形成半导体器件的电容器的方法，其特别处理了下部的电荷储存电极的表面，以便改善在使用具有特定介电常数作为介质膜的Ta2O5膜电容器中，以PECVD方法沉积Ta2O5膜的不佳的梯级覆盖，并根据使用梯级覆盖优良的LPCVD方法，来沉积Ta2O5膜，以改善电容器的电特性，防止漏电流产生，而且根据结果，它改善了半导体器件的特性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电容器 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的电容器的形成方法，其包括的步骤有：提供一半导体基板；在该半导体基板上形成一电荷储存电极；氮化该电荷储存电极的整个表面；等离子处理以氧化已氮化的电荷储存电极的表面；以LPCVD方法，在该电荷储存电极的表面上沉积Ta2O5膜，并等离子处理Ta2O5膜，其中沉积和等离子处理Ta2O5膜的过程，如果没有多次，至少进行一次；热处理该Ta2O5膜；以及在该整个表面的顶端形成一平板电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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