[发明专利]半导体存贮器件无效
| 申请号: | 98101534.4 | 申请日: | 1998-04-13 |
| 公开(公告)号: | CN1114952C | 公开(公告)日: | 2003-07-16 |
| 发明(设计)人: | 林淳一 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;G11C11/34 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 卢纪,刘文意 |
| 地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 在一半导体存贮器中,为了消除位线和总线之间耦合电容的不平衡,在位线层和总线层之间配置一层中间层的列选择信号线。并且,将列选择线的宽度增大成能够盖住因有一接触而宽度互不相同的位线,以此用列选择信号线屏蔽位线和总线,并平衡位线和总线之间的耦合电容。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 存贮 器件 | ||
【主权项】:
1.一种包含第一贮存库和第二贮存库的半导体存贮器件,包括:一条在所述第二贮存库中的第一位线;一条在所述第二贮存库中的第二位线,所述第二位线与所述第一位线互补;一条形成在所述第二贮存库中的总线,它从所述第一贮存库经过所述第二贮存库输出数据,其特征在于所述的存储器还包括:用以使所述第一位线与所述总线之间的第一电容和所述第二位线与所述总线之间的第二电容基本相等的一层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





